BLF6G10LS-200RN,11

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

BLF6G10LS-200RN,11 datasheet

• Маркировка
  BLF6G10LS-200RN,11
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors BLF6G10LS-200RN,11 Current - Test: 1.4A Current Rating: 49A Frequency: 871.5MHz Gain: 20dB ID_COMPONENTS: 3737997 Noise Figure: - Package / Case: SOT502B Power - Output: 40W Series: - Transistor Type: LDMOS Voltage - Rated: 65V Voltage - Test: 28V RoHS: yes Configuration: Single Transistor Polarity: N-Channel Output Power: 40 W Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Continuous Drain Current: 49 A Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 13 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Factory Pack Quantity: 100 Other Names: 934063255118
• Количество страниц
  11 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet BLF6G10LS-200RN,11.pdf
Файл формата Pdf 147,15 KB